第940回学術講演会（電気学会東北支部主催）開催のご案内

下記のとおり、第940回学術講演会（電気学会東北支部主催）をご来聴下さい
ますようご案内いたします。

日時：2004年5月17日(月) 10:30〜12:00

場所：東北大学工学部電子・応物・情報系1号館　451/453会議室
　　　http://www.eng.tohoku.ac.jp/eng/map/haichi.html　←この地図のB-1区域です．

主催：電気学会東北支部（支部長：前川文章）

協賛：東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会
　　　 H14-B01「RF集積回路における磁性薄膜応用技術の研究」（研究代表者：山口 正洋）

演題：Computer Simulation of High Density MRAM

講演者：Dr. Sang Ho Lim
　　　　　Nano Device Research Center, Korea Institute of Science and Technology
　　　　　P. O. Box 131, Cheongryang, Seoul 130-650, Korea

Introduction：
In a practical density level of magnetic random access memory (MRAM)
utilizing magnetic tunnel junctions, the cell dimensions are expected
to be in the submicron range where the switching of a magnetic layer
is dominated by magnetostatic interactions, causing a significant
increase of the switching field. It is therefore highly desirable to
devise a method of generating a large switching field from a word line
at a low applied current. An effort is made in this work by introducing
a soft magnetic keeper layer to a word line [1] and optimizing the
shape of the word line. The effects of non- uniform field distribution
generating from the word line on the magnetization reversal process was
also examined.
Reference: [1] Allan T. Hurst, William Vavra, U. S. Patenet 5956267, 1997

※詳しいアブストラクトを下記に掲載しています．
http://www.itmag.ecei.tohoku.ac.jp/events/20040517.pdf

連絡先：
東北大学大学院工学研究科　電気・通信工学専攻
山口正洋
yamaguti@ecei.tohoku.ac.jp (Phone 022-217-7077)