電気四学会関西支部　専門講習会　ご案内
「パワー半導体デバイスの新しい潮流」

要　旨
　21世紀は、太陽電池、燃料電池等の分散電源およびハイブリッド車の普及が進み、パワーエレクトロニクス分野の重要性が増すと予測されている。また、情報機器用電源の高性能化やインバータ家電の進展も目覚しく、小容量から大容量の電力変換機器の低損失化が重要な課題となっている。このような電力変換機器のハードウェアとして鍵を握っているのがパワー半導体デバイスである。パワー半導体デバイスは、Siを中心にサイリスタ、MOSFET、IGBT等のデバイス開発が進み、成熟期に入ったとも言われている。一方で、新しい半導体材料である炭化珪素（SiC）を用いることによって、Siデバイスの限界を打破できるという期待が高まっている。SiCは、まだ結晶やデバイス化技術に課題を抱えているものの、高耐圧・低損失・高速の特性を兼備した画期的なパワーデバイスを実現でき、パワーエレクトロニクスに大きな変革をもたらす可能性がある。
　本講習会では、Siパワー半導体デバイスの現状とSiCデバイスの進展および課題について、各分野のご専門の講師の方に紹介していただく。

日　時

平成17年10月24日（月）13時00分〜17時30分

場　所 　
中央電気倶楽部　513号室（大阪北区堂島浜2-1-25）

題目と講師
13:00〜13:05 開講の挨拶
　 電気学会関西支部　支部長
13:05〜14:05 パワーエレクトロニクス用半導体デバイスの展望
　 JST 研究成果活用プラザ京都　　 松波弘之
14:05〜15:05 Siパワーデバイスの進展とSiCへの期待
　 富士電機AT(株)　　上野勝典
15:05〜15:35 SiCパワーダイオードの開発と課題
　 ローム(株)　　 岡村裕司
15:35〜15:50 （休 憩）
15:50〜16:20 SiCパワーMOSFETの開発と課題
  三菱電機(株)　　 今泉昌之
16:20〜16:50 SiCパワーJFETの開発と課題
  住友電工(株)　　 並川靖生
16:50〜17:20 電力用SiCサイリスタの開発と応用
  関西電力(株)　　三柳洋一・菅原良孝
17:20〜17:30 閉講の挨拶
  電気学会関西支部　 総務企画幹事

参加費
主催学会会員（正員　 8,000円、准員・学生員　3,000円）
会員外（一般　10,000円、学生　5,000円）

定員
80名（定員になり次第、締切ります）

申込方法
終了しております。

申込先
〒530-0004 大阪市北区堂島浜2-1-25
中央電気倶楽部内　電気四学会関西支部　事務局
TEL(06)6341-2529、2530　FAX(06)6341-2534
E-mail：denki4g@ares.eonet.ne.jp

主　催
電気学会・電子情報通信学会・照明学会・映像情報メディア学会・各関西支部

E-mail: denki4g@ares.eonet.ne.jp
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