【委員長】 日高邦彦（東京大学）
【幹事】 澤 敏之（日立製作所）
【幹事補佐】 若林誠二（東芝） 大角 智（三菱電機）
【日時】 2018年1月29日（月）13:00～17:10
【場所】 電気学会会議室
（東京都千代田区五番町6-2 HOMAT HORIZONビル 8階)
場所の詳細はここをご覧ください。
【議題】 「SiCパワーエレクトロニクス開発史および電気技術史一般」座長 今泉浩幸（日本放送協会）
HEE-18-001 半導体メモリ CMOS型1MビットDRAM
鈴木英徳（東芝半導体サービス&サポート）
HEE-18-002 エアコン技術開発史の調査と系統化 荒野喆也（荒野技研） HEE-18-003 「鳳-テブナンの定理」、「ヘルムホルツ-テブナンの定理」、「帆足-ミルマンの定理」の起源と歴史を追って
井上崇浩（新日鐵住金ステンレス） HEE-18-004 技術史文献活用例としての水力発電による出力計算教材化の試み 前島正裕（国立科学博物館） HEE-18-005 軽元素系半導体の材料・デバイス化技術開発の展開 - SiCを中心にTurning pointの視点から
吉田貞史（産業技術総合研究所） HEE-18-006 SiC要素技術研究と低オン抵抗SiC EC MOS FETの開発
原 邦彦（豊橋技術科学大学） HEE-18-007 電力事業応用を指向した ＳｉＣデバイスとＳｉＣインバータの開発 菅原良孝（ＳｉＣパワーエレクトロニクスネットワーク） HEE-18-008 「超低損失電力素子技術開発」国家プロジェクトの発足経緯とその意義 荒井和雄（産業技術総合研究所） ※ 1件当り30分(質疑応答10分を含む)