| 日時 |
2013年03月05日 10時00分～ 20時00分 |
| 会場 |
広島大学 学士会館レセプションホール（東広島キャンパス） |
| 住所 |
〒739-8511 東広島市鏡山一丁目3番2号
TEL：082-422-7111（代表） |
| 地図 Link |
http://www.hiroshima-u.ac.jp/top/access/higashihiroshima/ |
| プログラム |
※講演は英語で行われます
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10:00-10:30 オープニング
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10:30-11:15【基調講演】 Tso-Ping Ma （エール大学 教授）
「ナノデバイスプロセスの研究と教育」
Research on Microelectronics, Devices and Processes
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11:15-12:00【基調講演】 Krishna Saraswat （スタンフォード大学 教授）
「集積回路デバイスプロセスの研究と教育」
Research on Materials and Devices for Integrated Circuits
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12:00-14:00 昼食
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14:00-14:45【基調講演】 Mark Bohr （インテル シニアフェロー）
「CMOS モバイルプロセッサーのテクノロジースケーリング」
Technology Scaling in the Mobility Era
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14:45-15:15【招待講演】 Donhee Ham （ハーバード大学 教授）
「動力学インダクタンスとメタマテリアル」
Plasmonic Circuits and Metamaterials in Reduced Dimensions
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15:15-15:45【招待講演】 秀 道広 （広島大学 教授）
「表面プラズモン共鳴を用いた生きている細胞の解析」
Surface Plasmon Resonance Sensor
for Individual Living Cell Activation
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15:45-16:15【招待講演】 池田 丈 （広島大学 助教）
「シリコン結合タンパク質によるバイオエレクトロニクス」
Silicon Binding Proteins on Si Microelectronic Devices
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16:30-17:30【総合討論】
「シリコンデバイスプロセス研究は必要か？（予定）」
Research on Silicon Devices and Processes, is it needed?
オーガナイザ 鳥海 明 （東京大学 教授）
パネリスト Tso-Ping Ma （エール大学 教授）
Krishna Saraswat （スタンフォード大学 教授）
Mark Bohr （インテル シニアフェロー）
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17:30-18:30 ポスターセッション
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18:30-20:00 懇親会（有料）
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| 参 加 費 |
無 料 |
| 参加申込 |
Ｗｅｂにて事前登録受付中
（先着順，お席に限りがあります） |
| 主 催 |
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 |
| 協 賛 |
米国電気化学会（ECS）日本支部
IEEE 固体素子回路協会（SSCS）日本支部
IEEE 固体素子回路協会（SSCS）関西支部 |
| 後 援 |
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター（VDEC）
中国経済産業局
IEEE広島支部
電子情報通信学会中国支部
情報処理学会中国支部
電気学会中国支部
公益財団法人ちゅうごく産業創造センター
株式会社半導体理工学研究センター（STARC） |
| 問い合わせ先 |
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
国際ナノデバイステクノロジワークショップ 事務局
メール：RNBS-Secretariat＠ml.hiroshima-u.ac.jp
電 話：082-424-6265
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| 申込みＷｅｂサイト |
こちらから |
国際ナノデバイステクノロジーワークショップ 2013 （後援）